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绝缘栅型场效应晶体管的主要参数 1、栅—源直流输入电阻RGS在漏-源两极短路的情况下，外加栅源直流电压与栅极直流电流之比即为栅—源直流输入电阻RGS。由于MOSFET是电压控制元件，所以RGS很大，一般大于109Ω，这是MOSFET的优点之一。2、栅一源击穿电压UGS(BR)栅一源击穿电压是在增大MOSFET的UGS的过程中，绝缘层... 2015-04-30 绝缘栅型场效应晶体管的主要参数
