N沟道增强型MOSFET

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1、结构和符号栅极与其他两个电极是相互绝缘的间断线表示栅源电压vGS=0时，FET内部不存在导电沟道箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道) 2、工作原理（1）栅源电压VGS的控制作用1）当VGS=0时：漏源间没有导电的沟道，iD=0 S、D之间相当于两个背靠背的二极管，故不管VDS...